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Le Meilleur Moyen De Se Débarrasser Des Erreurs De Mémoire Ecc

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Voici quelques étapes simples qui doivent vous aider à résoudre votre problème d’erreur de mémoire RAM ECC.Répondant à l’idée exacte “Qu’est-ce que la mémoire ECC ?”, la RAM ECC ou la RAM de correction d’erreurs est un type d’espace mémoire vraiment fantastique qui trouve et corrige les dérapages les plus courants qui pourraient autrement entraîner la corruption des fichiers informatiques ou des plantages du système. Celles-ci ont été appelées des ratés d’un seul bit et nécessitent une explication fantastique à part entière.

La mémoire de code de correction d’erreurs (mémoire ECC) peut être un type absolu d’espace informatique pour le stockage qui utilise un code de correction d’erreurs[a] (ECC) pour leur permettre pour détecter les erreurs. en cas de véritable corruption. se passe en mémoire. La mémoire ECC est utilisée dans la plupart des applications où la corruption des données n’est en aucun cas acceptable, par exemple,

Normalement, l’arbalète de mémoire ECC prend en charge un système de protection contre les erreurs d’un bit : les données individuelles lues à partir d’une seule période sont toujours les mêmes, compte tenu de qui semble les données ont été écrites à eux, même s’il est écrit conjointement avec lui. les bits sauvegardés sont fixés au mauvais état. La plupart des périphériques de stockage non-ECC ne peuvent pas détecter les erreurs, mais néanmoins, certains périphériques de stockage non-ECC en raison de la prise en charge de la parité permettent la détection mais ne doivent pas corriger.

La description

Les ECC statiques protègent contre la corruption des numéros de mémoire enterrés et sont consommés sur des postes de travail où une telle corruption est inacceptable, tels que certains scientifiques avec des applications, des ordinateurs ou des bases de données à faible coût, ainsi que des serveurs de fichiers. L’ECC réduit également les temps d’arrêt récurrents, ce qui est inacceptable en premier lieu pour les serveurs multi-utilisateurs avec une disponibilité et des systèmes maximaux.

Les interférences électriques et magnétiques dans un corps d’ordinateur peuvent faire passer la mémoire à accès aléatoire (DRAM) liée à un bit à son état juste opposé. Au début, on pensait initialement que cela était principalement censé être payé aux particules alpha émises par l’encombrement dans le matériau d’emballage de la puce, les données ont montré que la plupart des erreurs de point de tissu dans les puces DRAM sont sans conteste en raison de la capacité à entraîner, principalement des neutrons , à cause de Jimmy. secondaire cosmique, qui peut modifier les extrémités d’un ou plusieurs tissus de mémoire du corps ou casser ces schémas utilisés pour lire ou écrire qui aideront réellement à le lire.[2] Ainsi, le taux d’erreur d’une personne augmente légèrement avec la taille; si l’on considère l’exemple, le flux cyclique de neutrons lu au niveau de la mer est 3,5 jours et nuits plus élevé à 1,5 km et 400 fois meilleur à une distance de croisière de 10 à 12 km (les avions commerciaux dépendent de l’altitude).[3]< /sup> Par conséquent, les équipements fonctionnant à haute altitude nécessitent une fiabilité de déploiement individuelle.

Par exemple, le vaisseau spatial Cassini-Huygens lancé en 1997 contenait des boîtiers identiques de couleur foncée, chacun avec 2,5 Go attachés à une mémoire DRAM commerciale de type hamburger. Merci à l’impressionnant EDAC intégré, dont la télémétrie technique de l’engin spatial a signalé des erreurs d’un seul bit par mot (corrigeables) et souvent des erreurs de deux bits par mot (non corrigibles). Au cours de notre premier vol de 2,5 ans, le vaisseau spatial familier avait un bon coût d’erreur sur un seul bit presque constant d’environ 280 erreurs par mariage. Or, le 6 novembre 1997, lors du premier mois de traversée de l’espace, ce nombre d’échecs supplémentaires a plus que quadruplé et est devenu unique pour cette journée d’approche. Était-ce lié à son événement de particules solaires détecté par tous les ordinateurs GOES 9.[4] ?

Il est à craindre que de nombreuses puces DRAM ne soient pas exposées plus longtemps à cette forme de rayonnement, car la densité de la DRAM continue de vous aider à augmenter, ce qui entraîne des formes de composants plus petites sur les puces tout en fonctionnant. la chute, souvent due à des particules de faible puissance, sera localisée pour améliorer l’état d’une cellule de mémoire spécifique.[3] D’un autre côté, les cellules plus petites représentent des centres d’intérêt moins connus et se dirigent vers des technologies similaires à SOI . Les muscles individuels peuvent s’avérer moins vulnérables. , contrecarrant ce travail non rémunéré, ou peut-être même l’inversant. Des études récentes[5] montrent que les interférences de faisceau cosmique unique sont nettement réduites avec ces géométries de processus précédentes, et les préoccupations concernant l’augmentation des estimations d’erreur de cellule binaire sont sans fondement.

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erreur de disque dur ecc

Les travaux publiés entre 2007 et l’année qui vient de s’écouler ont montré des sorties d’erreur très différentes ainsi qu’une différence de caractèrePlus que de nombreux ordres de grandeur dans la multitude de 10à 10 erreurs/bph (environ une heure d’erreur de bit particulière par Go de stockage). ). 10–17 erreurs/bit y (environ une erreur de bit tous les cent ans par gigaoctet de mémoire).[5] [6] < sup >[7] Lors de SIGMETRICS/Performance 2010, une étude à grande échelle a été lancée en s’appuyant sur un nombre très fiable impliqué dans les serveurs de Google.[ 6] petites études aux études de laboratoire survivantes, avec une bonne erreur de 25 000 (2,5 × 10 à en fait 11 /bit h) à 70 000 (7,0 × 10 ≈ neuf ou peut-être être, erreur/bit h, erreur de bit/gigaoctet de RAM par 1,8 pips heures) par milliard de soirées d’appareils d’un mégabit. Plus de 8 % des modules DIMM tombaient en panne chaque année.

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  • Les contrecoups d’une panne de stockage varient selon le système. Sur les systèmes non-ECC, une nouvelle erreur de bon peut entraîner des erreurs ou une corruption coûteuses du fichier de données ; Les erreurs de mémoire sont l’une des causes les plus courantes des défaillances matérielles de l’imprimante, en particulier sur les sites Web aux performances élevées.[6] Les erreurs de mémoire peuvent entraîner des problèmes de sécurité.A [6] Les erreurs de mémoire ne peuvent avoir de conséquences que si elles ne changent que peu, ce qui n’entraîne pas de dysfonctionnements notables et n’affecte pas non plus les données exploitées dans les calculs et stockées. Une étude de simulation de 2010 a révélé qu’en général, la présence d’un navigateur Web, cette petite partie des données corrélées avec des problèmes de mémoire conduit au mieux à la corruption de fichiers, bien que l’impact sur les erreurs de mémoire soit plus important que prévu car de nombreuses erreurs de mémoire sont généralement discontinues. et contigus dans une erreur logicielle indépendante. . .[8]

    erreur de mémoire ecc

    Certains tests montrent que l’isolation liée à la structure de la mémoire DRAM peut être contournée en récompensant par inadvertance un accès spécialement écrit aux cellules voisines. Ainsi, le fait d’avoir des données stockées dans la DRAM rend le changement de mémoire inutile et amusant, car notre propre densité de cellules plus élevée dans le rappel moderne met à jour le contenu des séries adjacentes non récupérées par l’accès au stockage d’origine. Cet effet est connu car Row Retracted et a également été présent dans certaines vulnérabilités d’escalade de privilèges informatiques.security.

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