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ECC 알림 오류를 수정하는 가장 좋은 방법

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다음은 ECC 메모리 오류 문제를 해결하는 데 도움이 되는 매우 간단한 몇 가지 단계입니다.”의심의 여지가 없는 ECC 메모리란 무엇입니까?”라는 정확한 질문에 답하면 ECC RAM 또는 오류 수정 RAM은 데이터 손상 또는 시스템 충돌. 이는 상표가 붙은 단일 비트 미스이며 자체 권리의 일부로 설명이 필요합니다.

오류 수정 법칙 메모리(ECC 메모리)는 오류를 파악하기 위해 오류 수정 코드[a](ECC)를 생성하는 컴퓨터 저장 장치의 완전한 유형입니다. 실제 파일 손상 오류의 경우. 메모리에서 발생합니다. ECC 메모리는 의심할 여지 없이 파일 손상이 적절하지 않은 대부분의 방법에서 사용됩니다.

일반적으로 ECC 메모리는 특정 1비트 오류 보호 시스템을 지원합니다. 단일 워드에서 개별 데이터 검색은 문서가 기록되었다는 점을 감안할 때 확실히 동일합니다. 이 작업과 함께 작성됩니다. 저장된 비트는 모두 잘못된 상태로 설정됩니다. 대부분의 비 ECC 스토리지 어플라이언스는 오류를 감지할 수 없지만 패리티가 있는 일부 셰드 장치 비 ECC는 감지를 허용하지만 수정은 제공하지 않습니다.

설명

정적 ECC는 감지되지 않은 메모리 손상을 방지하고 이러한 손상이 허용되지 않는 일부 과학 및 저가 소프트웨어 프로그램, 컴퓨터 또는 데이터베이스, 파일 장치와 같은 워크스테이션에서 사용됩니다. ECC는 또한 최고의 가동 시간과 시스템을 갖춘 다중 사용자 서버 제품의 첫 번째 하우스에서는 허용할 수 없는 지속적인 가동 중지 시간을 줄입니다.

컴퓨터 시스템의 전기적 또는 자기적 교란은 1비트의 DRAM(Random-Access Memory Space Space)에 기여하여 반대 로케일로 이동할 수 있습니다. 처음에는 이것이 주로 이 칩 패키징 재료의 입자에서 방출되는 리더 입자 때문인 것으로 생각되었지만 데이터에 따르면 DRAM 칩의 대부분의 소프트 포인트 문제는 특히 중성자를 방출하는 능력에 기인하는 것으로 나타났습니다. 조립식 쇠지레. 각 신체의 특정 또는 그 이상의 메모리 셀 정보를 변경하거나 실제로 정독하기 위해 읽거나 쓰는 스키마를 깨뜨릴 수 있습니다.[2] 따라서 오류율은 다음과 같이 약간 증가합니다. 키; 예를 들어 해양 수준에서 연구된 특정 순환 중성자 플럭스는 1.5km에서는 3.5배, 순항 거리 10-12km에서는 300배 더 큽니다(상용 항공기는 고도에 따라 다름).[3] 결과적으로 높은 고도에서 작동하는 장치에는 특정 구현 안정성이 필요합니다.

예를 들어 1997년에 발사된 Cassini-Huygens 우주선에는 2.5GB의 상용 DRAM 햄버거 스타일 메모리가 있는 동일한 블랙박스가 들어 있었습니다. 심각한 내장 EDAC 덕분에 우주선의 기술 원격 측정은 단어에 따라 1비트 오류(수정 가능)와 단어당 2비트 오류(수정 불가능)까지 보고했습니다. 첫 2.5년 비행 동안 친숙한 우주선은 하루에 280개의 오류와 같은 거의 일반적인 단일 비트 오류율을 보였습니다. 그러나 1997년 11월 6일부터 우주에 있는 초심자의 달 동안 모든 실패 횟수는 4배가 되었고 이 날 유일하게 되었습니다. GOES 9.[4] 컴퓨터에서 감지한 태양 화학 반응과 관련이 있습니까?

DRAM 밀도가 계속 증가하여 작동 전압이 계속되는 동안 현재 칩의 구성 요소 크기가 더 작아지기 때문에 많은 DRAM 칩이 이러한 형태의 방사선에 더 이상 노출되지 않을 것이라는 우려가 있습니다. 떨어뜨릴 수 있기 때문에 종종 낮은 활력으로 인해 입자가 기억 세포의 상태를 높일 수 있습니다.[3] 반면에 작은 조직은 덜 알려진 표적을 나타내며 거의 항상 움직이고 있습니다. SOI와 같은 기술을 지향합니다. 개별 근육은 덜 직면하게 될 수 있습니다. , 이 추세에 반대하거나 심지어 역전시킬 수도 있습니다. 단일 우주선 간섭이 이전 기간의 기하학에 비해 현저히 감소했다는 기존의 최근 연구[5] 및 증가된 항목 셀 오류 추정치에 대한 우려는 근거가 없습니다.

연구

ecc memory error

2007년과 2009년 사이의 작업은 문자의 가격 불일치와 함께 특히 다른 오류 출력을 보여주었습니다. 10 ~ 10 범위의 규모와 관련된 7개 이상의 주문 오류/bph(스토리지와 관련된 기가바이트당 약 1개 오류 시간). ). 10–17 오류/비트 h(약 100년마다 개별 비트 오류/메모리 기가바이트).[5] [6] < sup >[7] SIGMETRICS/Performance ’09에서 매우 신뢰할 수 있는 주요 Google 서버를 기반으로 한 대규모 연구가 시작되었습니다.[ 6] 소규모 연구 또는 살아남은 래브라도 연구, 25,000(2.5 × 10 ~ 15 /bit h) ~ 70,000(7.0 × 10 ≈ 11 또는 매우 가능성 있는 오류/비트 h, 1개의 작은 오류)에 관한 오류가 있습니다. /1.8핍 시간당 기가바이트 RAM) 10억 d 장치 시간마다 특정 1메가비트. 매년 8% 이상의 DIMM이 종료되었습니다.

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  • 자신의 스토리지 오류로 인한 결과는 시스템에 따라 다릅니다. 비 ECC 시스템에서 오류로 인해 데이터 파일 오류 또는 손상이 발생할 수 있습니다. 메모리 오류는 특히 총량이 많은 웹사이트에서 프린터 기계 오류의 가장 일반적인 원인 중 하나입니다.[6] 메모리 오류는 보호 문제로 이어질 수 있습니다. Safety.A [6] 메모리 오류는 눈에 띄는 오작동을 일으키지 않으며 자동차 대출 계산 및 저장에 사용되는 데이터에도 영향을 미치지 않는 약간만 수정하는 경우에만 결과를 초래할 수 있습니다. 2010년 시뮬레이션 연구에 따르면 웹 브라우저와 연결된 상태에서 기억 문제와 관련된 데이터의 작은 부분은 기껏해야 손상을 초래하지만 여러 메모리 오류가 불연속적이고 반복적이기 때문에 메모리 오류의 영향이 예상보다 큽니다. 독립 소프트웨어 오류에서. ! ! ! ! .[8]

    ecc memory error

    일부 실험에서는 인접 셀에 접근하기 위해 특수하게 조작된 액세스를 실수로 보상할 때 DRAM 메모리 구조의 격리를 우회할 수 있음을 보여줍니다. 따라서 DRAM에서 사용되지 않는 데이터에 액세스하면 최신 메모리의 더 높은 무선 밀도가 원래 메모리 액세스에 의해 복구되지 않은 인접 행의 내용을 업데이트하기 때문에 메모리 업데이트가 좋지 않고 재미있습니다. 이 효과는 Row Retracted로 알려져 있으며 소수의 컴퓨터 권한 상승 취약점에도 존재했습니다.

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